Name: IQD009N06NM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 5.63 USD
Availability: OutOfStock

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IQD009N06NM5CGSCATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IQD009N06NM5CGSCATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IQD009N06NM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IQD009N06NM5CGSCATMA1
Descrição	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempo de espera previsto do fabricante	52 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 42A (Ta), 445A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montagem em superfície PG-WHTFN-9-U02
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IQD009N06NM5CGSCATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	42A (Ta), 445A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,9mOhm a 50A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,3V a 163µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	12000 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3W (Ta), 333W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-WHTFN-9-U02
Pacote / Invólucro	9-PowerWDFN