Equivalente paramétrico
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IPW65R150CFDFKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IPW65R150CFDFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPW65R150CFDFKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Furo passante PG-TO247-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 900µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 86 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2340 pF @ 100 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 195,3W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 150mOhm a 9,3A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R150CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 210 | 448-IPW65R150CFDFKSA2-ND | $ 5,06000 | Equivalente paramétrico |
| IXFH36N60P | IXYS | 560 | IXFH36N60P-ND | $ 15,93000 | Similar |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | $ 3,38800 | Similar |
| STW26N60M2 | STMicroelectronics | 309 | STW26N60M2-ND | $ 4,42000 | Similar |
| STW27N60M2-EP | STMicroelectronics | 582 | 497-16490-5-ND | $ 4,31000 | Similar |








