


IPW65R019C7FKSA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IPW65R019C7FKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPW65R019C7FKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 17 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 75A (Tc) 446W (Tc) Furo passante PG-TO247-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPW65R019C7FKSA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 19mOhm a 58,3A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 2,92mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 215 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 9900 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 446W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO247-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 18,70000 | $ 18,70 |
| 30 | $ 11,71067 | $ 351,32 |
| 120 | $ 10,77800 | $ 1.293,36 |
















