Name: IPT013N08NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT013N08NM5LFATMA1TR-ND
Price: 9.57 USD
Availability: InStock

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IPT013N08NM5LFATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT013N08NM5LFATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT013N08NM5LFATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT013N08NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT013N08NM5LFATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 333A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPT013N08NM5LFATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4,1V a 250µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 158 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 820 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 333A (Tc)	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPT013N
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,3mOhm a 150A, 10V