Name: IPT009N10NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N10NM8ATMA1TR-ND
Price: 4.7 USD
Availability: OutOfStock

Novo produto

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IPT009N10NM8ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPT009N10NM8ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPT009N10NM8ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPT009N10NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPT009N10NM8ATMA1
Descrição	IPT009N10NM8ATMA1
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 0.93mOhm @ 100A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 3.2V @ 279µA
Séries OptiMOS™ 8	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 319 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 21000 pF @ 50 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 500W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 175°C
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 42A (Ta), 484A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 15V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN