IPS65R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPS65R1K0CEAKMA1
Número de produto da DigiKey	IPS65R1K0CEAKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPS65R1K0CEAKMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 4,3A (Tc) 37W (Tc) Furo passante TO-251
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ CE
Embalagem	Tubo
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	328 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	37W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-251
Pacote / Invólucro	TO-251-3 condutores ramificados, IPAK
Número base de produto	IPS65R

IPS65R1K0CEAKMA1