IPP091N06N G Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPP091N06N G
Número de produto da DigiKey	IPP091N06NG-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPP091N06N G
Descrição	MOSFET N-CHAN TO-220
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 80A (Tc) Furo passante PG-TO220-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Descontinuado na DigiKey
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	80A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	9,1mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 130µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	81 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2800 pF @ 30 V
Característica FET	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3
Pacote / Invólucro	TO-220-3
Número base de produto	IPP091N

IPP091N06N G