Canal N 950 V 4A (Tc) 7W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
Canal N 950 V 4A (Tc) 7W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
Infineon Small Signal P-Channel and N-Channel MOSFETs PIO | DigiKey

IPN95R2K0P7ATMA1

Número de produto da DigiKey
IPN95R2K0P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
IPN95R2K0P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
IPN95R2K0P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IPN95R2K0P7ATMA1
Descrição
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 950 V 4A (Tc) 7W (Tc) Montagem em superfície PG-SOT223
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IPN95R2K0P7ATMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Não para novos designs
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
2Ohm a 1,7A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,5V a 80µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
330 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-SOT223
Pacote / Invólucro
Número base de produto
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Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 1,50000$ 1,50
10$ 0,94700$ 9,47
100$ 0,62730$ 62,73
500$ 0,48992$ 244,96
1.000$ 0,44568$ 445,68
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3.000$ 0,34347$ 1.030,41
6.000$ 0,31853$ 1.911,18
9.000$ 0,31012$ 2.791,08
Embalagem padrão do fabricante