Name: IPI076N12N3GAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPI076N12N3GAKSA1-ND
Price: 3.87 USD
Availability: InStock

Canal N 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Furo passante PG-TO262-3

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPI076N12N3GAKSA1
Número de produto da DigiKey	IPI076N12N3GAKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPI076N12N3GAKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Furo passante PG-TO262-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPI076N12N3GAKSA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 130µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 101 nC @ 10 V
Séries OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Tubo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6640 pF @ 60 V
Part Status Última compra	Dissipação de potência (máx.) 188W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Furo passante
Tensão dreno-fonte (Vdss) 120 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO262-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-262-3 condutores longos, I2PAK, TO-262AA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPI076
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7,6mOhm a 100A, 10V

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Substitutos (1)

Número de peça	Fabricante	QUANTIDADE DISPONÍVEL	Número de produto da DigiKey	Preço unitário	Tipo de substituto
IPI076N15N5AKSA1	Infineon Technologies	316	448-IPI076N15N5AKSA1-ND	$ 5,93000	Recomendado pelo fabricante

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Data da última compra: 30/09/2026

Quantidade

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Tubo

Quantidade	Preço unitário	Preço total
1	$ 3,87000	$ 3,87
50	$ 1,96540	$ 98,27

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