Name: IPG20N06S4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPG20N06S4L11ATMA2TR-ND
Price: 2.34 USD
Availability: InStock

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IPG20N06S4L11ATMA2
Número de produto da DigiKey	448-IPG20N06S4L11ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPG20N06S4L11ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPG20N06S4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPG20N06S4L11ATMA2
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Montagem em superfície, flanco impregnável PG-TDSON-8-10
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	20A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	11,2mOhm a 17A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 28µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	53nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	4020pF a 25V
Potência - Máx.	65W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície, flanco impregnável
Pacote / Invólucro	PowerVDFN-8
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TDSON-8-10
Número base de produto	IPG20N