Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 2.34 USD
Availability: InStock

IPD90R1K2C3ATMA2
Número de produto da DigiKey	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD90R1K2C3ATMA2
Descrição	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 900 V 5,1A (Tc) 83W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD90R1K2C3ATMA2 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Não para novos designs
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	900 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	5,1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,2Ohm a 2,8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 310µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	710 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	83W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD90

Quantidade	Preço unitário	Preço total
2.500	$ 0,59166	$ 1.479,15
5.000	$ 0,57312	$ 2.865,60

IPD90R1K2C3ATMA2