Name: IPD80R2K7C3AATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND
Price: 1.94 USD
Availability: InStock

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IPD80R2K7C3AATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPD80R2K7C3AATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD80R2K7C3AATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD80R2K7C3AATMA1
Descrição	MOSFET N-CH TO252-3
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Montagem em superfície
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPD80R2K7C3AATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	2,7Ohm a 1,2A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,9V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	290 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	42W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA (DPAK)
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD80R2