


IPD80R1K0CEATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPD80R1K0CEATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 5,7A (Tc) 83W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPD80R1K0CEATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Não para novos designs | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 950mOhm a 3,6A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,9V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 785 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 83W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO252-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,22000 | $ 2,22 |
| 10 | $ 1,41400 | $ 14,14 |
| 100 | $ 0,95580 | $ 95,58 |
| 500 | $ 0,75932 | $ 379,66 |
| 1.000 | $ 0,69612 | $ 696,12 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2.500 | $ 0,55356 | $ 1.383,90 |
| 5.000 | $ 0,53038 | $ 2.651,90 |








