IPD65R950CFDATMA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IPD65R950CFDATMA1
Número de produto da DigiKey	IPD65R950CFDATMA1-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPD65R950CFDATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 3,9A (Tc) 36,7W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	3,9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	950mOhm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 200µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	14.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	380 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	36,7W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO252-3
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto	IPD65R950

IPD65R950CFDATMA1