


IPD65R660CFDAATMA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPD65R660CFDAATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 18 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 6A (Tc) 62,5W (Tc) Montagem em superfície PG-TO252-3 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPD65R660CFDAATMA1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 660mOhm a 3,22A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,5V a 214,55µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 543 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 62,5W (Tc) | |
Temperatura de operação | -40°C a 150°C (TJ) | |
Grau | Automotivo | |
Qualificação | AEC-Q101 | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO252-3 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 2,26000 | $ 2,26 |
| 10 | $ 1,44800 | $ 14,48 |
| 100 | $ 0,98430 | $ 98,43 |
| 500 | $ 0,78600 | $ 393,00 |
| 1.000 | $ 0,75966 | $ 759,66 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 2.500 | $ 0,63365 | $ 1.584,13 |
| 5.000 | $ 0,62064 | $ 3.103,20 |




