IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPU60R1K0CEAKMA1
Número de produto da DigiKey	IPU60R1K0CEAKMA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPU60R1K0CEAKMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251-3
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 4,3A (Tc) Furo passante PG-TO251-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™ CE
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,3A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1Ohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 130µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13 nC @ 10 V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	280 pF @ 100 V
Característica FET	-
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO251-3
Pacote / Invólucro	TO-251-3 condutores curtos, IPAK, TO-251AA
Número base de produto	IPU60R

IPU60R1K0CEAKMA1