Name: IPB65R310CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R310CFDAATMA1TR-ND
Price: 3.21 USD
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB65R310CFDAATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB65R310CFDAATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB65R310CFDAATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB65R310CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB65R310CFDAATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 650V 11.4A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	8 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 11,4A (Tc) 104,2W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB65R310CFDAATMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	11,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	310mOhm a 4,4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4,5V a 440µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1110 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	104,2W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-3
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	IPB65R310