Name: IPB65R045C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R045C7ATMA2TR-ND
Price: 11.33 USD
Availability: InStock

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IPB65R045C7ATMA2
Número de produto da DigiKey	IPB65R045C7ATMA2TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB65R045C7ATMA2CT-ND - Fita cortada (CT) IPB65R045C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB65R045C7ATMA2
Descrição	MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB65R045C7ATMA2 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 1,25mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 93 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ C7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4340 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 227W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 46A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB65R045
Rds on (máx.) para Id, Vgs 45mOhm a 24,9A, 10V