Name: IPB60R080P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB60R080P7ATMA1TR-ND
Price: 5.38 USD
Availability: InStock

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IPB60R080P7ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB60R080P7ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IPB60R080P7ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IPB60R080P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB60R080P7ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 600V 37A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 37A (Tc) 129W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB60R080P7ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 590µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 51 nC @ 10 V
Séries CoolMOS™ P7	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2180 pF @ 400 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 129W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 37A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto IPB60R080
Rds on (máx.) para Id, Vgs 80mOhm a 11,8A, 10V