IPB50N12S3L15ATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPB50N12S3L15ATMA1 está obsoleto e não é mais fabricado.

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Preço unitário : $ 4,35081

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPB50N12S3L15ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB50N12S3L15ATMA1-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB50N12S3L15ATMA1
Descrição	MOSFET N-CHANNEL_100+
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 120 V 50A (Tc) 100W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3-2
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 57 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4180 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR)	Dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
Part Status Obsoleto	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 120 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 50A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Rds on (máx.) para Id, Vgs 15,7mOhm a 50A, 10V	Número base de produto IPB50N12
Vgs(th) (máx.) para Id 2,4V a 60µA