IPB180N04S302ATMA1 Infineon Technologies | FET simples, MOSFETs

IPB180N04S302ATMA1
Número de produto da DigiKey	IPB180N04S302ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB180N04S302ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-3
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™
Embalagem	Fita e carretel (TR)
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,5mOhm a 80A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 230µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	210 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	14300 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	300W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-3
Pacote / Invólucro	TO-263-7, D2PAK (6 condutores + aba)
Número base de produto	IPB180

IPB180N04S302ATMA1