Name: IPB029N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.25 USD
Availability: InStock

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IPB029N06NF2SATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IPB029N06NF2SATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IPB029N06NF2SATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IPB029N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPB029N06NF2SATMA1
Descrição	TRENCH 40<-<100V
Tempo de espera previsto do fabricante	25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 26A (Ta), 120A (Tc) 3,8W (Ta), 150W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-3
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPB029N06NF2SATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,3V a 80µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 102 nC @ 10 V
Séries StrongIRFET™2	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4600 pF @ 30 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 150W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-3
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 26A (Ta), 120A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V	Número base de produto IPB029
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,9mOhm a 70A, 10V

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Fita e carretel (TR)

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IPB029N06NF2SATMA1