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Produto do Mercado
IPB025N10N3GE8187ATMA1 está disponível para compra, mas não é estocado normalmente.
Substitutos disponíveis:
Equivalente paramétrico
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IPB025N10N3GE8187ATMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPB025N10N3GE8187ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPB025N10N3GE8187ATMA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Não para novos designs | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 2,5mOhm a 100A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 3,5V a 275µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 206 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 14800 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 300W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO263-7 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Disponível para pedido
Este produto não é mantido em estoque na DigiKey. O tempo de espera mostrado se refere a remessa do fabricante até a DigiKey. Após receber o produto, a DigiKey o enviará para atender aos pedidos em aberto.
Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita e carretel (TR)
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 2,64988 | $ 2.649,88 |
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