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IPAN60R650CEXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | IPAN60R650CEXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IPAN60R650CEXKSA1 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 9,9A (Tc) 28W (Tc) Furo passante PG-TO220-FP |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IPAN60R650CEXKSA1 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 200µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20.5 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±20V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 440 pF @ 100 V |
Part Status Obsoleto | Dissipação de potência (máx.) 28W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -40°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO220-FP |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 650mOhm a 2,4A, 10V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| IPA60R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | 444 | IPA60R650CEXKSA1-ND | $ 1,72000 | Recomendado pelo fabricante |
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