IPA50R350CPXKSA1 Infineon Technologies | Produtos semicondutores discretos

IPA50R350CPXKSA1 está obsoleto e não é mais fabricado.

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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IPA50R350CPXKSA1
Número de produto da DigiKey	IPA50R350CPXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IPA50R350CPXKSA1
Descrição	MOSFET N-CH 500V 10A TO220-FP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 500 V 10A (Tc) 32W (Tc) Furo passante PG-TO220-3-31
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IPA50R350CPXKSA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolMOS™
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	350mOhm a 5,6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,5V a 370µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1020 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	32W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO220-3-31
Pacote / Invólucro	Pacote completo TO-220-3
Número base de produto	IPA50R350