
IMZA75R008M1HXKSA1 | |
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Número de produto da DigiKey | 448-IMZA75R008M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMZA75R008M1HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Furo passante PG-TO247-4-U02 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMZA75R008M1HXKSA1 Modelos |
Categoria | Rds on (máx.) para Id, Vgs 7,2mOhm a 90,3A, 20V |
Fabricante | Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 32,4mA |
Séries | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 178 nC @ 500 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Part Status Não para novos designs | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6137 pF @ 500 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 517W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 750 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-4-U02 |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V | Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 43,74000 | $ 43,74 |
| 30 | $ 28,87433 | $ 866,23 |
| 120 | $ 25,62825 | $ 3.075,39 |


