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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMW65R083M1HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMW65R083M1HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 24A (Tc) 104W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-41 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMW65R083M1HXKSA1 Modelos |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,7V a 3,3mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 19 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +20V, -2V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 624 pF @ 400 V |
Part Status Não para novos designs | Dissipação de potência (máx.) 104W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-41 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 111mOhm a 11,2A, 18V |
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 9,06000 | $ 9,06 |
| 30 | $ 5,21500 | $ 156,45 |
| 120 | $ 4,37067 | $ 524,48 |
| 510 | $ 3,75194 | $ 1.913,49 |
| 1.020 | $ 3,52626 | $ 3.596,79 |
| 2.010 | $ 3,34038 | $ 6.714,16 |
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