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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMW65R057M1HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMW65R057M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMW65R057M1HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 35A (Tc) 133W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-41 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMW65R057M1HXKSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Não para novos designs | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 74mOhm a 16,7A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,7V a 5mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 28 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +20V, -2V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 930 pF @ 400 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 133W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Furo passante | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PG-TO247-3-41 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 7
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 8,22000 | $ 8,22 |
| 30 | $ 4,79800 | $ 143,94 |
| 120 | $ 4,04550 | $ 485,46 |
| 510 | $ 3,70188 | $ 1.887,96 |
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Brasil