
IMW65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMW65R040M2HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 61 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 46A (Tc) 172W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-40 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 4,6mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 28 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +23V, -7V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 997 pF @ 400 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 172W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-40 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 36mOhm a 22,9A, 20V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 11,09000 | $ 11,09 |
| 30 | $ 6,49733 | $ 194,92 |
| 120 | $ 5,48792 | $ 658,55 |
| 510 | $ 4,74855 | $ 2.421,76 |
| 1.020 | $ 4,47891 | $ 4.568,49 |
| 2.010 | $ 4,25684 | $ 8.556,25 |



