
IMW65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMW65R027M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMW65R027M1HXKSA1 |
Descrição | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 47A (Tc) 189W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-41 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMW65R027M1HXKSA1 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,7V a 11mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 62 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2131 pF @ 400 V |
Part Status Não para novos designs | Dissipação de potência (máx.) 189W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-41 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 34mOhm a 38,3A, 18V |
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | $ 17,88000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $ 15,53000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $ 12,26000 | Similar |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 16,91000 | $ 16,91 |
| 30 | $ 10,26633 | $ 307,99 |
| 120 | $ 8,81092 | $ 1.057,31 |
| 510 | $ 7,74549 | $ 3.950,20 |
| 1.020 | $ 7,35713 | $ 7.504,27 |





