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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMW65R020M2HXKSA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET |
Tempo de espera previsto do fabricante | 61 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Furo passante PG-TO247-3-40 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 9,5mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 57 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +23V, -7V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2038 pF @ 400 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 273W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Furo passante |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO247-3-40 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 18mOhm a 46,9A, 20V |
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Quantidade
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 17,73000 | $ 17,73 |
| 30 | $ 10,80633 | $ 324,19 |
| 120 | $ 9,29083 | $ 1.114,90 |
| 510 | $ 8,18131 | $ 4.172,47 |
| 1.020 | $ 7,77692 | $ 7.932,46 |
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