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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
IMT65R075M2HXUMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMT65R075M2HXUMA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMT65R075M2HXUMA1 |
Descrição | SICFET N-CH 650V 33.7A HSOF-8 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 61 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 33,7A (Tc) 178W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 2,4mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 14.9 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +25V, -10V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 516 pF @ 400 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 178W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 20V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 95mOhm a 11,9A, 18V |
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Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 7,05000 | $ 7,05 |
| 10 | $ 4,70400 | $ 47,04 |
| 100 | $ 3,37670 | $ 337,67 |
| 500 | $ 2,81072 | $ 1.405,36 |
| 1.000 | $ 2,62904 | $ 2.629,04 |
| 2.000 | $ 2,47639 | $ 4.952,78 |
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