Name: IMT65R040M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND
Price: 7.83 USD
Availability: InStock

Novo produto

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IMT65R040M2HXUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMT65R040M2HXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMT65R040M2HXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMT65R040M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMT65R040M2HXUMA1
Descrição	SILICON CARBIDE MOSFET
Tempo de espera previsto do fabricante	23 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 58,7A (Tc) 277W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	58,7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	36mOhm a 22,9A, 20V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,6V a 4,6mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (máx.)	+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	997 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	277W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-2
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN