Name: IMT40R011M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT40R011M2HXTMA1TR-ND
Price: 19 USD
Availability: InStock

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IMT40R011M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMT40R011M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMT40R011M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMT40R011M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMT40R011M2HXTMA1
Descrição	SIC-MOS
Tempo de espera previsto do fabricante	61 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 400 V 13,4A (Ta), 144A (Tc) 3,8W (Ta), 429W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-2
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMT40R011M2HXTMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 14,4mOhm a 37,1A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx.) para Id 5,6V a 13,3mA
Séries CoolSiC™	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 85 nC @ 18 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +23V, -7V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 3770 pF @ 200 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 3,8W (Ta), 429W (Tc)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 400 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 13,4A (Ta), 144A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-8-2
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Pacote / Invólucro 8-PowerSFN