Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 21.93 USD
Availability: InStock

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IMSQ120R026M2HHXUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Descrição	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 83A (Tc) 410W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-221
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™ G2
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Configuração	2 canais N (meia ponte)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1200V (1,2kV)
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	83A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	26mOhm a 27A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,1V a 8,6mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	54nC a 0V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1990pF a 800V
Potência - Máx.	410W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	24-BSOP (largura 0,606", 15,40mm), 16 condutores, pad exposto
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-16-221