Canal N 1200 V 64A (Tc) 326W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-3
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Canal N 1200 V 64A (Tc) 326W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-3
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R034M2HXTMA1

Número de produto da DigiKey
448-IMCQ120R034M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-IMCQ120R034M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-IMCQ120R034M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IMCQ120R034M2HXTMA1
Descrição
SICFET N-CH 1200V 64A 22PWRBSOP
Tempo de espera previsto do fabricante
39 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 64A (Tc) 326W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-3
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IMCQ120R034M2HXTMA1 Modelos
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Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
34mOhm a 20,4A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 6,4mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
48.7 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1920 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
326W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-HDSOP-22-3
Pacote / Invólucro
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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 11,52000$ 11,52
10$ 7,94800$ 79,48
100$ 5,98290$ 598,29
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
750$ 4,90505$ 3.678,79
1.500$ 4,88800$ 7.332,00
Embalagem padrão do fabricante