Novo produto
IMCQ120R026M2HXTMA1
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IMCQ120R026M2HXTMA1
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMCQ120R026M2HXTMA1

Número de produto da DigiKey
448-IMCQ120R026M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-IMCQ120R026M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-IMCQ120R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IMCQ120R026M2HXTMA1
Descrição
MOSFET N-CH 1200V 82A 22PWRBSOP
Tempo de espera previsto do fabricante
26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 82A (Tc) 405W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-22-3
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IMCQ120R026M2HXTMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Séries
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Tecnologia
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
25,4mOhm a 27A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 8,6mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
63.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
2540 pF @ 800 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
405W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-HDSOP-22-3
Pacote / Invólucro
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Em estoque: 529
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Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 13,12000$ 13,12
10$ 9,16700$ 91,67
100$ 8,02960$ 802,96
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
750$ 6,56012$ 4.920,09
Embalagem padrão do fabricante