
IMBG65R107M1HXTMA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | IMBG65R107M1HXTMA1 |
Descrição | SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263- |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | IMBG65R107M1HXTMA1 Modelos |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 5,7V a 2,6mA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 15 nC @ 18 V |
Séries | Vgs (máx.) +23V, -5V |
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 496 pF @ 400 V |
Part Status Não para novos designs | Dissipação de potência (máx.) 110W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 650 V | Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-12 |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 18V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 141mOhm a 8,9A, 18V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 8,61000 | $ 8,61 |
| 10 | $ 5,80700 | $ 58,07 |
| 100 | $ 4,22070 | $ 422,07 |
| 500 | $ 3,54484 | $ 1.772,42 |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1.000 | $ 3,32795 | $ 3.327,95 |
| 2.000 | $ 3,14569 | $ 6.291,38 |
| 3.000 | $ 3,05292 | $ 9.158,76 |




