Canal N 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IMBG65R107M1HXTMA1

Número de produto da DigiKey
448-IMBG65R107M1HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-IMBG65R107M1HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-IMBG65R107M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de produto do fabricante
IMBG65R107M1HXTMA1
Descrição
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 650 V 24A (Tc) 110W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
IMBG65R107M1HXTMA1 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Infineon Technologies
Séries
CoolSIC™ M1
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Não para novos designs
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
141mOhm a 8,9A, 18V
Vgs(th) (máx.) para Id
5,7V a 2,6mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
15 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+23V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
496 pF @ 400 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO263-7-12
Pacote / Invólucro
TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto
IMBG65R
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 6,87000$ 6,87
10$ 4,61800$ 46,18
100$ 3,34210$ 334,21
500$ 3,13314$ 1.566,57
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
1.000$ 2,62360$ 2.623,60
2.000$ 2,55975$ 5.119,50
Embalagem padrão do fabricante
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