Canal N 1200 V 8,1A (Tc) 80W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
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Canal N 1200 V 8,1A (Tc) 80W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMBG120R234M2HXTMA1

Número de produto da DigiKey
448-IMBG120R234M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR)
448-IMBG120R234M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT)
448-IMBG120R234M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Número de produto do fabricante
IMBG120R234M2HXTMA1
Descrição
SICFET N-CH 1200V 8.1A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
45 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 1200 V 8,1A (Tc) 80W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
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Categoria
Vgs(th) (máx.) para Id
5,1V a 900µA
Fabricante
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
7.9 nC @ 18 V
Séries
Vgs (máx.)
+20V, -7V
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
290 pF @ 800 V
Part Status
Ativo
Dissipação de potência (máx.)
80W (Tc)
Tipo de FET
Temperatura de operação
-55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss)
1200 V
Invólucro do dispositivo fornecido
PG-TO263-7-12
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
Pacote / Invólucro
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Número base de produto
Rds on (máx.) para Id, Vgs
233,9mOhm a 3A, 18V
Classificação de exportação e ambiental
Perguntas e respostas sobre o produto
Recursos adicionais
Em estoque: 1.006
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Todos os preços estão em USD
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
1$ 5,22000$ 5,22
10$ 3,46100$ 34,61
100$ 2,46410$ 246,41
500$ 2,19464$ 1.097,32
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá $ 7,00 de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
1.000$ 1,90200$ 1.902,00
2.000$ 1,79300$ 3.586,00
Embalagem padrão do fabricante