Name: IMBG120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG120R078M2HXTMA1TR-ND
Price: 7.86 USD
Availability: InStock

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IMBG120R078M2HXTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBG120R078M2HXTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBG120R078M2HXTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBG120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBG120R078M2HXTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1200V 29A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	49 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1200 V 29A (Tc) 158W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-12
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5,1V a 2,8mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 20.6 nC @ 18 V
Séries CoolSiC™ G2	Vgs (máx.) +23V, -10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 700 pF @ 800 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 158W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carboneto de silício)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 1200 V	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TO263-7-12
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 29A (Tc)	Pacote / Invólucro TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 15V, 18V	Número base de produto IMBG120R078
Rds on (máx.) para Id, Vgs 78,1mOhm a 8,9A, 18V