Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 5.66 USD
Availability: InStock

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IMBF170R650M1XTMA1
Número de produto da DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IMBF170R650M1XTMA1
Descrição	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 1700 V 7,4A (Tc) 88W (Tc) Montagem em superfície PG-TO263-7-13
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IMBF170R650M1XTMA1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolSiC™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	SiCFET (carboneto de silício)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	1700 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	7,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	12V, 15V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	650mOhm a 1,5A, 15V
Vgs(th) (máx.) para Id	5,7V a 1,7mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	8 nC @ 12 V
Vgs (máx.)	+20V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	422 pF @ 1000 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	88W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TO263-7-13
Pacote / Invólucro	TO-263-8, D2PAK (7 condutores + aba), TO-263CA
Número base de produto	IMBF170