Name: IGLT65R110B2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND
Price: 6.4 USD
Availability: OutOfStock

Novo na DigiKey

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

IGLT65R110B2AUMA1
Número de produto da DigiKey	448-IGLT65R110B2AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IGLT65R110B2AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IGLT65R110B2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IGLT65R110B2AUMA1
Descrição	HV GAN DISCRETES
Tempo de espera previsto do fabricante	26 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 15,1A (Tc) 56W (Tc) Montagem em superfície PG-HDSOP-16-9
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	CoolGaN™
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15,1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds on (máx.) para Id, Vgs	-
Vgs(th) (máx.) para Id	1,6V a 1,36mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	1.52 nC @ 3 V
Vgs (máx.)	-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	150 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	56W (Tc)
Temperatura de operação	-40°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HDSOP-16-9
Pacote / Invólucro	Módulo PowerSOP-16