Name: IAUZN04S7L012ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND
Price: 1.75 USD
Availability: InStock

Novo produto

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IAUZN04S7L012ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUZN04S7L012ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUZN04S7L012ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUZN04S7L012ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUZN04S7L012ATMA1
Descrição	MOSFET_(20V 40V)
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 199A (Tj) 94W (Tc) Montagem em superfície PG-TSDSON-8-39
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 7
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	40 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	199A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,25mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,8V a 35µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3686 pF @ 20 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	94W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-TSDSON-8-39
Pacote / Invólucro	PowerTDFN-8