Name: IAUTN06S5N008ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND
Price: 6.32 USD
Availability: InStock

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IAUTN06S5N008ATMA1
Número de produto da DigiKey	448-IAUTN06S5N008ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-IAUTN06S5N008ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-IAUTN06S5N008ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUTN06S5N008ATMA1
Descrição	MOSFET_)40V 60V)
Tempo de espera previsto do fabricante	18 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 60A (Ta), 350A (Tj) 258W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-8-1
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	OptiMOS™ 5
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	60A (Ta), 350A (Tj)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,76mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3V a 275µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	273 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	20280 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	258W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	Automotivo
Qualificação	AEC-Q101
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PG-HSOF-8-1
Pacote / Invólucro	8-PowerSFN