Name: IAUC120N04S6N009ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND
Price: 3.47 USD
Availability: OutOfStock

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IAUC120N04S6N009ATMA1
Número de produto da DigiKey	IAUC120N04S6N009ATMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IAUC120N04S6N009ATMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IAUC120N04S6N009ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUC120N04S6N009ATMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 120A 8TDSON-33
Tempo de espera previsto do fabricante	35 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 120A (Tc) 150W (Tc) Montagem em superfície PG-TDSON-8-33
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUC120N04S6N009ATMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 115 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7360 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 120A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-TDSON-8-33
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro PowerTDFN-8
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,9mOhm a 60A, 10V	Número base de produto IAUC120
Vgs(th) (máx.) para Id 3,4V a 90µA