Name: IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND
Price: 4.01 USD
Availability: InStock

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IAUA200N04S5N010AUMA1
Número de produto da DigiKey	IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND - Fita e carretel (TR) IAUA200N04S5N010AUMA1CT-ND - Fita cortada (CT) IAUA200N04S5N010AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	IAUA200N04S5N010AUMA1
Descrição	MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 40 V 200A (Tc) 167W (Tc) Montagem em superfície PG-HSOF-5-1
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	IAUA200N04S5N010AUMA1 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 132 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Séries OptiMOS™ 5	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 7650 pF @ 25 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 175°C (TJ)
Tipo de FET Canal N	Grau Automotivo
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Qualificação AEC-Q101
Tensão dreno-fonte (Vdss) 40 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 200A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PG-HSOF-5-1
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V	Pacote / Invólucro 5-PowerSFN
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1mOhm a 100A, 10V	Número base de produto IAUA200
Vgs(th) (máx.) para Id 3,4V a 100µA