Name: GS0650182LMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650182LMRXUSA1TR-ND
Price: 8.76 USD
Availability: InStock

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GS0650182LMRXUSA1
Número de produto da DigiKey	448-GS0650182LMRXUSA1TR-ND - Fita e carretel (TR) 448-GS0650182LMRXUSA1CT-ND - Fita cortada (CT) 448-GS0650182LMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de produto do fabricante	GS0650182LMRXUSA1
Descrição	GS-065-018-2-L-MR
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 650 V 18A (Tc) Montagem em superfície 8-PDFN (8x8)
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Infineon Technologies
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Última compra
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	GaNFET (nitreto de gálio)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	650 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	110mOhm a 5,5A, 6V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,6V a 4,8mA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	4 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	+7V, -10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	132 pF @ 400 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	-
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	8-PDFN (8x8)
Pacote / Invólucro	8-VDFN pad exposto