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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
FF4MR20KM1HHPSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-FF4MR20KM1HHPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | FF4MR20KM1HHPSA1 |
Descrição | MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB |
Tempo de espera previsto do fabricante | 14 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 2000V (2kV) 280A (Tc) Montagem em chassis AG-62MMHB |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | FF4MR20KM1HHPSA1 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 2 canais N (duplo) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 2000V (2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 280A (Tc) | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 5,3mOhm a 300A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,15V a 168mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 1170nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 36100pF a 1,2kV | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | AG-62MMHB | |
Número base de produto |
Em estoque: 10
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 447,78000 | $ 447,78 |
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