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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-F435MR07W1D7S8B11ABPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 |
Descrição | MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE |
Tempo de espera previsto do fabricante | 22 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 650V 35A Montagem em chassis Módulo |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) | |
Configuração | 4 canais N (ponte completa) | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 35A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 39,4mOhm a 35A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4,45V a 1,74mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 141nC a 10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 6950pF a 400V | |
Potência - Máx. | - | |
Temperatura de operação | -40°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | Módulo | |
Número base de produto |
Em estoque: 18
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Quantidade
Todos os preços estão em USD
Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 56,37000 | $ 56,37 |
| 24 | $ 39,28542 | $ 942,85 |
| 120 | $ 37,59217 | $ 4.511,06 |
Brasil