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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 448-F413MXTR12C1M2H11BPSA1-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
Descrição | F413MXTR12C1M2H11BPSA1 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 12 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Cascata MOSFET 1200V (1,2kV) 60A 20mW Montagem em chassis |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | Infineon Technologies | |
Séries | ||
Embalagem | Bandeja | |
Part Status | Ativo | |
Tecnologia | Carboneto de silício (SiC) | |
Configuração | 4 canais N | |
Característica FET | - | |
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | 60A | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 12,5mOhm a 50A, 18V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5,15V a 22mA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 158nC a 18V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 4800pF a 800V | |
Potência - Máx. | 20mW | |
Temperatura de operação | -40°C a 175°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em chassis | |
Pacote / Invólucro | Módulo | |
Invólucro do dispositivo fornecido | - |
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Quantidade
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Bandeja
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | $ 123,97000 | $ 123,97 |
| 24 | $ 106,77500 | $ 2.562,60 |
Brasil